儲單元分為兩類SLC(Single Level Cell 單層單元)和MLC(MultiLevel Cell多層單元)此外SLC閃存的優點是復寫次數高達次比MLC閃存高倍此外為了保證MLC的壽命控制芯片都校驗和智能磨損平衡技術算法使得每個存儲單元的寫入次數可以平均分攤達到萬小時故障間隔時間(MTBF)
對MLC和SLC兩大架構現在網上存在一個普遍的認識誤區那就是大家都認為MLC架構的NAND閃存是劣品只有SLC架構的NAND閃存才能在質 量上有保障殊不知采用MLC架構的NAND閃存產品在年就已經投入市場使用至今也沒有見哪位用戶說自己曾經購買的大容量CFSD卡有質量問 題可能你會說這是暫時的日後肯定出問題那麼我們就先來回憶一下MLC的發展歷程以及SLC目前的發展狀況再來給這個假設做定論吧
SLC技術存取原理上SLC架構是和兩個充電值即每Cell只能存取bit數據有點兒類似於開關電路雖然簡單但卻 非常穩定如同電腦的CPU部件一樣要想在一定體積裡容納更多的晶體管數就必須提高生產工藝水平減小單晶體管體積目前SLC技術受限於低硅效率問 題要想大幅度提高制程技術就必須采用更先進的流程強化技術這就意味著廠商必須更換現有的生產設備投入大不說而且還是個無底洞而MLC架構可以一次 儲存個以上的充電值因此擁有比較好的存儲密度再加上可利用現有的生產設備來提高產品容量廠商即享有生產成本上的優勢同時產品良率又得到了保證自 然比SLC架構更受歡迎
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